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mos管在電路中一般用作電子開關，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。德國艾賽斯MOS管場效應管模塊貼片大功率

IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結構。以2 in 1模塊為例，模塊中封裝了兩組芯片，根據電流或功率要求不同每組可并聯(lián)多顆IGBT芯片（ IGBT芯片與FRD一一對應）英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

在電動汽車的“三電”方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅動電機，其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量，就可知需求的龐大。此外，充電樁的核心部件也要用到IGBT芯片。英飛凌為國內電動乘用車市場供應62.8萬套IGBT模塊，市占率達到58%。英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R

由于系統(tǒng)結構的問題，有時驅動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內部的柵極綁定線雜散電感一起，構成了柵極回路電感Lg。它會顯著影響IGBT的開關性能，尤其是開通性能。IGBT模塊2U/6U全新正品Infineon英飛凌系列

IGBT開通性能而言，有兩個比較重要的表現(xiàn)指標：一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt，另一個是器件從關斷狀態(tài)到導通狀態(tài)所產生的開通損耗。前者如果太高，續(xù)流二極管（FWD）也會有一個很快的反向恢復過程，這可能會導致反向恢復電流出現(xiàn)振蕩從而引起二極管的失效。后者是直接關系到IGBT的工作效率及其對散熱器的設計需求，這對成本控制和器件的可靠性非常有意義。1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導體